Samsung Electronics presentó en el Future of Memory and Storage (FMS) 2026 una nueva generación de tecnologías de memoria orientadas a la inteligencia artificial. Durante el evento de Santa Clara (California), la compañía dio a conocer conceptos de arquitecturas tridimensionales, una nueva generación de memoria NAND con más de 400 capas y actualizaciones a su portafolio de soluciones destinadas a centros de datos y computación de alto rendimiento.
Las novedades forman parte de la estrategia de Samsung para responder al crecimiento de las cargas de trabajo impulsadas por la IA, donde la demanda por mayor capacidad de memoria, menor latencia y una mejor eficiencia energética continúa aumentando.
Samsung adelanta nuevas arquitecturas de memoria para IA
La primera gran noticia fue la presentación de los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, tecnologías que representan la visión de Samsung para las futuras arquitecturas de memoria tridimensional.
En el caso de zHBM, la compañía propone una configuración distinta a la utilizada actualmente por las memorias HBM convencionales. En lugar de instalar los módulos de memoria junto al acelerador de inteligencia artificial, el concepto plantea apilarlos directamente sobre el procesador, reduciendo la distancia que recorren los datos y aumentando el rendimiento del sistema.
Esta arquitectura permitiría alcanzar un rendimiento cercano a ocho veces el ofrecido por la memoria HBM5, además de incrementar significativamente la densidad de memoria y mejorar la eficiencia energética gracias a una menor resistencia térmica.
Por su parte, zNAND-O está orientada a aplicaciones de inteligencia artificial en el borde (Edge AI), donde resulta fundamental reducir la latencia para procesar información en tiempo real. La compañía indicó que esta solución combinará un mejor desempeño de entrada y salida con un uso más eficiente del espacio disponible.
La primera V10 BV-NAND supera las 400 capas
Samsung también mostró oficialmente la V10 BV-NAND, una nueva generación de memoria flash basada en una arquitectura denominada Bonding V-NAND.
El fabricante señaló que se trata de la primera implementación de la industria que supera las 400 capas, incorporando una nueva tecnología de unión de obleas para incrementar la densidad de almacenamiento. De acuerdo con la empresa, esta generación aumenta la densidad de memoria en aproximadamente un 58 % respecto de la V9, además de ofrecer mejoras en lectura, escritura y operaciones de entrada y salida.
La presentación coincide además con el aniversario de la introducción de la primera memoria V-NAND de Samsung durante el Flash Memory Summit de 2013, tecnología que marcó un cambio importante en el desarrollo de memorias NAND tridimensionales.
Actualización del portafolio para centros de datos e inteligencia artificial
Además de las nuevas arquitecturas, Samsung mostró la evolución de su catálogo de memorias para inteligencia artificial y almacenamiento empresarial.
Entre las soluciones exhibidas se encuentran HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y las unidades de almacenamiento empresarial PM1763 y BM1773, desarrolladas para responder a las necesidades de infraestructura de centros de datos dedicados a inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.
La compañía recordó que fue la primera en iniciar la producción masiva de memorias HBM4 utilizando tecnología DRAM de 1c y un base die fabricado con proceso de 4 nanómetros. Posteriormente, comenzó el envío de muestras de HBM4E a clientes internacionales, mientras continúa avanzando en el desarrollo de HBM5.
Dentro de las novedades también destaca LPDDR5X-PIM, una memoria que incorpora capacidades de procesamiento directamente en el módulo, reduciendo el movimiento de datos entre el procesador y la memoria para mejorar la eficiencia energética en cargas de trabajo relacionadas con inteligencia artificial.
Una estrategia integrada para la infraestructura de IA
Finalmente, Samsung reforzó su estrategia de ofrecer soluciones integradas para el desarrollo de chips destinados a inteligencia artificial.
La empresa destacó que actualmente combina capacidades de diseño, fabricación de memoria, servicios de fundición (foundry) y empaquetado avanzado dentro de una misma cadena de producción. Este enfoque busca reducir los tiempos de desarrollo de nuevos productos y optimizar tanto el rendimiento como el consumo energético de futuras plataformas destinadas a inteligencia artificial y centros de datos.
 2026 una nueva generación de tecnologías de memoria RAM.){kind=link}